Epitaxial (EPI) Silicon Wafer Featured Image

എപിറ്റാക്സിയൽ (ഇപിഐ) സിലിക്കൺ വേഫർ

വിവരണം

എപിറ്റാക്സിയൽ സിലിക്കൺ വേഫർഅല്ലെങ്കിൽ ഇപിഐ സിലിക്കൺ വേഫർ, എപ്പിറ്റാക്സിയൽ വളർച്ചയിലൂടെ ഒരു സിലിക്കൺ അടിവസ്ത്രത്തിന്റെ മിനുക്കിയ ക്രിസ്റ്റൽ പ്രതലത്തിൽ നിക്ഷേപിക്കുന്ന അർദ്ധചാലക ക്രിസ്റ്റൽ പാളിയുടെ ഒരു വേഫറാണ്.എപ്പിടാക്‌സിയൽ ലെയർ, ഹോമോജീനിയസ് എപ്പിറ്റാക്‌സിയൽ വളർച്ചയുടെ അടിസ്‌ട്രേറ്റിന്റെ അതേ മെറ്റീരിയലോ അല്ലെങ്കിൽ ഹെറ്ററോജീനിയസ് എപ്പിറ്റാക്‌സിയൽ വളർച്ചയുടെ പ്രത്യേക അഭികാമ്യമായ ഗുണമേന്മയുള്ള എക്സോട്ടിക് ലെയറോ ആയിരിക്കാം, രാസ നീരാവി നിക്ഷേപം CVD, ലിക്വിഡ് ഫേസ് എപ്പിറ്റാക്‌സി എൽപിഇ, അതുപോലെ മോളിക്യുലാർ ബീം എന്നിവ ഉൾപ്പെടുന്നു. എപ്പിറ്റാക്സി എംബിഇ കുറഞ്ഞ വൈകല്യ സാന്ദ്രതയും നല്ല പ്രതല പരുക്കനുമായി ഉയർന്ന നിലവാരം കൈവരിക്കാൻ.നൂതന അർദ്ധചാലക ഉപകരണങ്ങൾ, ഉയർന്ന സംയോജിത അർദ്ധചാലക ഘടകങ്ങൾ, IC-കൾ, ഡിസ്ക്രീറ്റ്, പവർ ഉപകരണങ്ങൾ എന്നിവയുടെ നിർമ്മാണത്തിലാണ് സിലിക്കൺ എപിറ്റാക്സിയൽ വേഫറുകൾ പ്രാഥമികമായി ഉപയോഗിക്കുന്നത്, കൂടാതെ ബൈപോളാർ തരം, MOS, BiCMOS ഉപകരണങ്ങൾ പോലുള്ള ഐസികൾക്കുള്ള ഡയോഡ്, ട്രാൻസിസ്റ്റർ അല്ലെങ്കിൽ സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റ് എന്നിവയുടെ ഘടകത്തിനും ഉപയോഗിക്കുന്നു.കൂടാതെ, മൈക്രോ ഇലക്‌ട്രോണിക്‌സ്, ഫോട്ടോണിക്‌സ്, ഫോട്ടോവോൾട്ടെയ്‌ക്‌സ് ആപ്ലിക്കേഷനുകളിൽ മൾട്ടിപ്പിൾ ലെയർ എപ്പിടാക്‌സിയലും കട്ടിയുള്ള ഫിലിം ഇപിഐ സിലിക്കൺ വേഫറുകളും പലപ്പോഴും ഉപയോഗിക്കാറുണ്ട്.

ഡെലിവറി

വെസ്റ്റേൺ മിനിമെറ്റൽസ് (എസ്‌സി) കോർപ്പറേഷനിലെ എപിറ്റാക്സിയൽ സിലിക്കൺ വേഫറുകൾ അല്ലെങ്കിൽ ഇപിഐ സിലിക്കൺ വേഫർ 4, 5, 6 ഇഞ്ച് വലുപ്പത്തിൽ (100mm, 125mm, 150mm വ്യാസം), ഓറിയന്റേഷൻ <100>, <111>, <1ohm ന്റെ epilayer resistivity എന്നിവ നൽകാം. -cm അല്ലെങ്കിൽ 150ohm-cm വരെ, എപ്പിലെയർ കനം<1um അല്ലെങ്കിൽ 150um വരെ, എച്ചഡ് അല്ലെങ്കിൽ LTO ട്രീറ്റ്‌മെന്റിന്റെ ഉപരിതല ഫിനിഷിലെ വിവിധ ആവശ്യകതകൾ നിറവേറ്റുന്നതിനായി, പുറത്ത് കാർട്ടൺ ബോക്‌സ് ഉപയോഗിച്ച് കാസറ്റിൽ പായ്ക്ക് ചെയ്യുക, അല്ലെങ്കിൽ മികച്ച പരിഹാരത്തിനായി ഇഷ്‌ടാനുസൃതമാക്കിയ സവിശേഷത .

ഇപ്പോൾ അന്വേഷണം

വിശദാംശങ്ങൾ

ടാഗുകൾ

സാങ്കേതിക സ്പെസിഫിക്കേഷൻ

എപ്പി സിലിക്കൺ വേഫർ

എപ്പിറ്റാക്സിയൽ സിലിക്കൺ വേഫറുകൾഅല്ലെങ്കിൽ വെസ്റ്റേൺ മിൻമെറ്റൽസ് (SC) കോർപ്പറേഷനിലെ EPI സിലിക്കൺ വേഫർ 4, 5, 6 ഇഞ്ച് വലുപ്പത്തിൽ (100mm, 125mm, 150mm വ്യാസം), ഓറിയന്റേഷൻ <100>, <111>, എപ്പിലേയർ റെസിസ്റ്റിവിറ്റി <1ohm-cm അല്ലെങ്കിൽ 150ohm-cm വരെ, എപ്പിലേയർ കനം<1um അല്ലെങ്കിൽ 150um വരെ, എച്ചഡ് അല്ലെങ്കിൽ LTO ട്രീറ്റ്‌മെന്റിന്റെ ഉപരിതല ഫിനിഷിലെ വിവിധ ആവശ്യകതകൾ നിറവേറ്റുന്നതിനായി, പുറത്ത് കാർട്ടൺ ബോക്‌സ് ഉപയോഗിച്ച് കാസറ്റിൽ പായ്ക്ക് ചെയ്യുക, അല്ലെങ്കിൽ മികച്ച പരിഹാരത്തിനായി ഇഷ്‌ടാനുസൃതമാക്കിയ സ്പെസിഫിക്കേഷൻ.

ചിഹ്നം	Si
ആറ്റോമിക് നമ്പർ	14
ആറ്റോമിക് ഭാരം	28.09
എലമെന്റ് വിഭാഗം	മെറ്റലോയ്ഡ്
ഗ്രൂപ്പ്, കാലയളവ്, ബ്ലോക്ക്	14, 3, പി
ക്രിസ്റ്റൽ ഘടന	ഡയമണ്ട്
നിറം	ഇരുണ്ട ചാരനിറം
ദ്രവണാങ്കം	1414°C, 1687.15 K
തിളനില	3265°C, 3538.15 K
സാന്ദ്രത 300K	2.329 ഗ്രാം/സെ.മീ³
ആന്തരിക പ്രതിരോധശേഷി	3.2E5 Ω-സെ.മീ
CAS നമ്പർ	7440-21-3
ഇസി നമ്പർ	231-130-8

ഇല്ല.	ഇനങ്ങൾ	സ്റ്റാൻഡേർഡ് സ്പെസിഫിക്കേഷൻ
1	പൊതു സ്വഭാവസവിശേഷതകൾ
1-1	വലിപ്പം	4"	5"	6"
1-2	വ്യാസം എം.എം	100± 0.5	125 ± 0.5	150 ± 0.5
1-3	ഓറിയന്റേഷൻ	<100>, <111>	<100>, <111>	<100>, <111>
2	എപ്പിറ്റാക്സിയൽ പാളിയുടെ സവിശേഷതകൾ
2-1	വളർച്ചാ രീതി	സി.വി.ഡി	സി.വി.ഡി	സി.വി.ഡി
2-2	ചാലകത തരം	P അല്ലെങ്കിൽ P+, N/ അല്ലെങ്കിൽ N+	P അല്ലെങ്കിൽ P+, N/ അല്ലെങ്കിൽ N+	P അല്ലെങ്കിൽ P+, N/ അല്ലെങ്കിൽ N+
2-3	കനം μm	2.5-120	2.5-120	2.5-120
2-4	കനം ഏകീകൃതത	≤3%	≤3%	≤3%
2-5	പ്രതിരോധശേഷി Ω-സെ.മീ	0.1-50	0.1-50	0.1-50
2-6	റെസിസ്റ്റിവിറ്റി യൂണിഫോം	≤3%	≤5%	-
2-7	സ്ഥാനഭ്രംശം cm-2	<10	<10	<10
2-8	ഉപരിതല ഗുണനിലവാരം	ചിപ്പ്, മൂടൽമഞ്ഞ്, ഓറഞ്ച് തൊലി മുതലായവ അവശേഷിക്കുന്നില്ല.
3	സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റ് സ്വഭാവസവിശേഷതകൾ കൈകാര്യം ചെയ്യുക
3-1	വളർച്ചാ രീതി	CZ	CZ	CZ
3-2	ചാലകത തരം	പി/എൻ	പി/എൻ	പി/എൻ
3-3	കനം μm	525-675	525-675	525-675
3-4	പരമാവധി ഏകീകൃത കനം	3%	3%	3%
3-5	പ്രതിരോധശേഷി Ω-സെ.മീ	ആവശ്യപ്പെട്ടിരിക്കുന്നത് പോലെ	ആവശ്യപ്പെട്ടിരിക്കുന്നത് പോലെ	ആവശ്യപ്പെട്ടിരിക്കുന്നത് പോലെ
3-6	റെസിസ്റ്റിവിറ്റി യൂണിഫോം	5%	5%	5%
3-7	TTV μm പരമാവധി	10	10	10
3-8	ബോ μm പരമാവധി	30	30	30
3-9	വാർപ്പ് μm പരമാവധി	30	30	30
3-10	EPD cm-2 പരമാവധി	100	100	100
3-11	എഡ്ജ് പ്രൊഫൈൽ	വൃത്താകൃതിയിലുള്ളത്	വൃത്താകൃതിയിലുള്ളത്	വൃത്താകൃതിയിലുള്ളത്
3-12	ഉപരിതല ഗുണനിലവാരം	ചിപ്പ്, മൂടൽമഞ്ഞ്, ഓറഞ്ച് തൊലി മുതലായവ അവശേഷിക്കുന്നില്ല.
3-13	ബാക്ക് സൈഡ് ഫിനിഷ്	എച്ചഡ് അല്ലെങ്കിൽ LTO (5000±500Å)
4	പാക്കിംഗ്	അകത്ത് കാസറ്റ്, പുറത്ത് കാർട്ടൺ പെട്ടി.

സിലിക്കൺ എപിറ്റാക്സിയൽ വേഫറുകൾനൂതന അർദ്ധചാലക ഉപകരണങ്ങൾ, ഉയർന്ന സംയോജിത അർദ്ധചാലക ഘടകങ്ങൾ IC-കൾ, ഡിസ്‌ക്രീറ്റ്, പവർ ഉപകരണങ്ങൾ എന്നിവയുടെ നിർമ്മാണത്തിൽ പ്രാഥമികമായി ഉപയോഗിക്കുന്നു, കൂടാതെ ഡയോഡ്, ട്രാൻസിസ്റ്റർ അല്ലെങ്കിൽ ബൈപോളാർ തരം, MOS, BiCMOS ഉപകരണങ്ങൾ തുടങ്ങിയ IC-ക്കുള്ള സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റിന്റെ ഘടകത്തിനും ഉപയോഗിക്കുന്നു.കൂടാതെ, മൈക്രോ ഇലക്‌ട്രോണിക്‌സ്, ഫോട്ടോണിക്‌സ്, ഫോട്ടോവോൾട്ടെയ്‌ക്‌സ് ആപ്ലിക്കേഷനുകളിൽ മൾട്ടിപ്പിൾ ലെയർ എപ്പിടാക്‌സിയലും കട്ടിയുള്ള ഫിലിം ഇപിഐ സിലിക്കൺ വേഫറുകളും പലപ്പോഴും ഉപയോഗിക്കാറുണ്ട്.