സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് SiC

വിവരണം

സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് വേഫർ SiC, MOCVD രീതി ഉപയോഗിച്ച് സിലിക്കണിന്റെയും കാർബണിന്റെയും ക്രിസ്റ്റലിൻ സംയുക്തം വളരെ കഠിനമാണ്, കൂടാതെ പ്രദർശിപ്പിച്ചിരിക്കുന്നുഅതിന്റെ അതുല്യമായ വൈഡ് ബാൻഡ് വിടവും മറ്റ് അനുകൂലമായ സ്വഭാവസവിശേഷതകളും കുറഞ്ഞ താപ വികാസത്തിന്റെ ഗുണകം, ഉയർന്ന പ്രവർത്തന താപനില, നല്ല താപ വിസർജ്ജനം, താഴ്ന്ന സ്വിച്ചിംഗ്, ചാലക നഷ്ടങ്ങൾ, കൂടുതൽ ഊർജ്ജ കാര്യക്ഷമത, ഉയർന്ന താപ ചാലകത, ശക്തമായ വൈദ്യുത ഫീൽഡ് ബ്രേക്ക്ഡൌൺ ശക്തി, അതുപോലെ കൂടുതൽ സാന്ദ്രീകൃത വൈദ്യുത പ്രവാഹങ്ങൾ അവസ്ഥ.വെസ്റ്റേൺ മിൻമെറ്റൽസ് (SC) കോർപ്പറേഷനിലെ സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് SiC 2″ 3' 4", 6" (50mm, 75mm, 100mm, 150mm) വ്യാസത്തിൽ, n-ടൈപ്പ്, സെമി-ഇൻസുലേറ്റിംഗ് അല്ലെങ്കിൽ ഡമ്മി വേഫർ എന്നിവ ഉപയോഗിച്ച് നൽകാം. കൂടാതെ ലബോറട്ടറി ആപ്ലിക്കേഷനും. ലോകമെമ്പാടുമുള്ള ഞങ്ങളുടെ ഉപഭോക്താക്കൾക്ക് അനുയോജ്യമായ പരിഹാരത്തിനുള്ളതാണ് ഏത് ഇഷ്‌ടാനുസൃതമാക്കിയ സ്പെസിഫിക്കേഷനും.

അപേക്ഷകൾ

ഉയർന്ന നിലവാരമുള്ള 4H/6H സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് SiC വേഫർ നിരവധി അത്യാധുനിക മികച്ച ഫാസ്റ്റ്, ഉയർന്ന താപനില, ഉയർന്ന വോൾട്ടേജ് ഇലക്ട്രോണിക് ഉപകരണങ്ങളായ ഷോട്ട്കി ഡയോഡുകൾ & SBD, ഹൈ-പവർ സ്വിച്ചിംഗ് MOSFET-കൾ & JFET-കൾ മുതലായവയുടെ നിർമ്മാണത്തിന് അനുയോജ്യമാണ്. ഇൻസുലേറ്റഡ്-ഗേറ്റ് ബൈപോളാർ ട്രാൻസിസ്റ്ററുകളുടെയും തൈറിസ്റ്ററുകളുടെയും ഗവേഷണത്തിലും വികസനത്തിലും അഭികാമ്യമായ മെറ്റീരിയൽ.ഒരു മികച്ച ന്യൂ ജനറേഷൻ അർദ്ധചാലക മെറ്റീരിയൽ എന്ന നിലയിൽ, സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് SiC വേഫർ ഉയർന്ന പവർ എൽഇഡി ഘടകങ്ങളിൽ കാര്യക്ഷമമായ ഹീറ്റ് സ്പ്രെഡറായി പ്രവർത്തിക്കുന്നു, അല്ലെങ്കിൽ ഭാവിയിൽ ലക്ഷ്യമിടുന്ന ശാസ്ത്രീയ പര്യവേക്ഷണത്തിന് അനുകൂലമായി GaN ലെയർ വളർത്തുന്നതിനുള്ള സുസ്ഥിരവും ജനപ്രിയവുമായ അടിത്തറയായി പ്രവർത്തിക്കുന്നു.

ഇപ്പോൾ അന്വേഷണം

വിശദാംശങ്ങൾ

ടാഗുകൾ

സാങ്കേതിക സ്പെസിഫിക്കേഷൻ

സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് SiC

സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് SiCവെസ്റ്റേൺ മിൻമെറ്റൽസിൽ (SC) കോർപ്പറേഷൻ 2″ 3' 4“, 6″ (50mm, 75mm, 100mm, 150mm) വ്യാസത്തിൽ, n-ടൈപ്പ്, സെമി-ഇൻസുലേറ്റിംഗ് അല്ലെങ്കിൽ ഡമ്മി വേഫർ ഉപയോഗിച്ച് വ്യാവസായിക, ലബോറട്ടറി ആപ്ലിക്കേഷനായി നൽകാം. .ഏത് ഇഷ്‌ടാനുസൃതമാക്കിയ സ്‌പെസിഫിക്കേഷനും ലോകമെമ്പാടുമുള്ള ഞങ്ങളുടെ ഉപഭോക്താക്കൾക്ക് മികച്ച പരിഹാരമാണ്.

ലീനിയർ ഫോർമുല	SiC
തന്മാത്രാ ഭാരം	40.1
ക്രിസ്റ്റൽ ഘടന	വുർട്ട്സൈറ്റ്
രൂപഭാവം	സോളിഡ്
ദ്രവണാങ്കം	3103 ± 40K
തിളനില	N/A
സാന്ദ്രത 300K	3.21 ഗ്രാം/സെ.മീ³
ഊർജ്ജ വിടവ്	(3.00-3.23) ഇ.വി
ആന്തരിക പ്രതിരോധശേഷി	>1E5 Ω-സെ.മീ
CAS നമ്പർ	409-21-2
ഇസി നമ്പർ	206-991-8

ഇല്ല.	ഇനങ്ങൾ	സ്റ്റാൻഡേർഡ് സ്പെസിഫിക്കേഷൻ
1	SiC വലുപ്പം	2"	3"	4"	6"
2	വ്യാസം എം.എം	50.8 0.38	76.2 0.38	100 0.5	150 0.5
3	വളർച്ചാ രീതി	MOCVD	MOCVD	MOCVD	MOCVD
4	ചാലകത തരം	4H-N, 6H-N, 4H-SI, 6H-SI
5	പ്രതിരോധശേഷി Ω-സെ.മീ	0.015-0.028;0.02-0.1;>1E5
6	ഓറിയന്റേഷൻ	0° ± 0.5°;<1120> ലേക്ക് 4.0°
7	കനം μm	330±25	330±25	(350-500) ± 25	(350-500) ± 25
8	പ്രാഥമിക ഫ്ലാറ്റ് സ്ഥാനം	<1-100>±5°	<1-100>±5°	<1-100>±5°	<1-100>±5°
9	പ്രാഥമിക ഫ്ലാറ്റ് നീളം mm	16± 1.7	22.2± 3.2	32.5±2	47.5 ± 2.5
10	സെക്കൻഡറി ഫ്ലാറ്റ് ലൊക്കേഷൻ	സിലിക്കൺ മുഖം മുകളിലേക്ക്: 90°, പ്രൈം ഫ്ലാറ്റിൽ നിന്ന് ഘടികാരദിശയിൽ ±5.0°
11	സെക്കൻഡറി ഫ്ലാറ്റ് നീളം mm	8± 1.7	11.2± 1.5	18±2	22± 2.5
12	TTV μm പരമാവധി	15	15	15	15
13	ബോ μm പരമാവധി	40	40	40	40
14	വാർപ്പ് μm പരമാവധി	60	60	60	60
15	എഡ്ജ് ഒഴിവാക്കൽ mm max	1	2	3	3
16	മൈക്രോപൈപ്പ് സാന്ദ്രത സെ.മീ-2	<5, വ്യാവസായിക;<15, ലാബ്;<50, ഡമ്മി
17	സ്ഥാനഭ്രംശം സെ.മീ-2	<3000, വ്യാവസായിക;<20000, ലാബ്;<500000, ഡമ്മി
18	ഉപരിതല പരുക്കൻ nm max	1(പോളിഷ്), 0.5 (സിഎംപി)
19	വിള്ളലുകൾ	ഒന്നുമില്ല, വ്യാവസായിക നിലവാരത്തിന്
20	ഷഡ്ഭുജാകൃതിയിലുള്ള പ്ലേറ്റുകൾ	ഒന്നുമില്ല, വ്യാവസായിക നിലവാരത്തിന്
21	പോറലുകൾ	≤3mm, മൊത്തം നീളം സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റ് വ്യാസത്തേക്കാൾ കുറവാണ്
22	എഡ്ജ് ചിപ്സ്	ഒന്നുമില്ല, വ്യാവസായിക നിലവാരത്തിന്
23	പാക്കിംഗ്	അലുമിനിയം കോമ്പോസിറ്റ് ബാഗിൽ അടച്ച ഒറ്റ വേഫർ കണ്ടെയ്നർ.

സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് SiC 4H/6Hഷോട്ട്കി ഡയോഡുകൾ, എസ്ബിഡി, ഹൈ-പവർ സ്വിച്ചിംഗ് മോസ്ഫെറ്റുകൾ, ജെഎഫ്ഇടികൾ തുടങ്ങിയ പല അത്യാധുനിക മികച്ച ഫാസ്റ്റ്, ഉയർന്ന താപനില, ഉയർന്ന വോൾട്ടേജ് ഇലക്ട്രോണിക് ഉപകരണങ്ങളുടെ നിർമ്മാണത്തിന് ഉയർന്ന നിലവാരമുള്ള വേഫർ അനുയോജ്യമാണ്. ഇൻസുലേറ്റഡ്-ഗേറ്റ് ബൈപോളാർ ട്രാൻസിസ്റ്ററുകളുടെയും തൈറിസ്റ്ററുകളുടെയും ഗവേഷണവും വികസനവും.ഒരു മികച്ച ന്യൂ ജനറേഷൻ അർദ്ധചാലക മെറ്റീരിയൽ എന്ന നിലയിൽ, സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് SiC വേഫർ ഉയർന്ന പവർ എൽഇഡി ഘടകങ്ങളിൽ കാര്യക്ഷമമായ ഹീറ്റ് സ്പ്രെഡറായി പ്രവർത്തിക്കുന്നു, അല്ലെങ്കിൽ ഭാവിയിൽ ലക്ഷ്യമിടുന്ന ശാസ്ത്രീയ പര്യവേക്ഷണത്തിന് അനുകൂലമായി GaN ലെയർ വളർത്തുന്നതിനുള്ള സുസ്ഥിരവും ജനപ്രിയവുമായ അടിത്തറയായി പ്രവർത്തിക്കുന്നു.