ഗാലിയം നൈട്രൈഡ് GaN

വിവരണം

ഗാലിയം നൈട്രൈഡ് GaN, CAS 25617-97-4, തന്മാത്രാ പിണ്ഡം 83.73, വുർട്ട്സൈറ്റ് ക്രിസ്റ്റൽ ഘടന, വളരെ വികസിപ്പിച്ച അമണോതെർമൽ പ്രോസസ്സ് രീതി ഉപയോഗിച്ച് വളർത്തിയ ഗ്രൂപ്പ് III-V ന്റെ ഒരു ബൈനറി സംയുക്ത ഡയറക്ട് ബാൻഡ്-ഗാപ്പ് അർദ്ധചാലകമാണ്.മികച്ച ക്രിസ്റ്റലിൻ നിലവാരം, ഉയർന്ന താപ ചാലകത, ഉയർന്ന ഇലക്ട്രോൺ മൊബിലിറ്റി, ഉയർന്ന ക്രിട്ടിക്കൽ ഇലക്ട്രിക് ഫീൽഡ്, വൈഡ് ബാൻഡ്‌ഗാപ്പ് എന്നിവയാൽ സവിശേഷമായ ഗാലിയം നൈട്രൈഡ് GaN-ന് ഒപ്‌റ്റോഇലക്‌ട്രോണിക്‌സിലും സെൻസിംഗ് ആപ്ലിക്കേഷനുകളിലും അഭികാമ്യമായ സവിശേഷതകളുണ്ട്.

അപേക്ഷകൾ

അത്യാധുനിക ഹൈ സ്പീഡ്, ഹൈ കപ്പാസിറ്റി ബ്രൈറ്റ് ലൈറ്റ് എമിറ്റിംഗ് ഡയോഡുകൾ LED കളുടെ ഘടകങ്ങൾ, ലേസർ, ഒപ്റ്റോ ഇലക്‌ട്രോണിക്സ് ഉപകരണങ്ങൾ, പച്ച, നീല ലേസർ, ഹൈ ഇലക്ട്രോൺ മൊബിലിറ്റി ട്രാൻസിസ്റ്ററുകൾ (HEMT) ഉൽപന്നങ്ങൾ, ഉയർന്ന പവർ എന്നിവയുടെ ഉത്പാദനത്തിന് ഗാലിയം നൈട്രൈഡ് GaN അനുയോജ്യമാണ്. ഉയർന്ന താപനിലയുള്ള ഉപകരണങ്ങളുടെ നിർമ്മാണ വ്യവസായവും.

ഡെലിവറി

വെസ്റ്റേൺ മിൻമെറ്റൽസ് (SC) കോർപ്പറേഷനിലെ ഗാലിയം നൈട്രൈഡ് GaN വൃത്താകൃതിയിലുള്ള വേഫർ 2 ഇഞ്ച് ”അല്ലെങ്കിൽ 4” (50mm, 100mm), ചതുരാകൃതിയിലുള്ള വേഫർ 10×10 അല്ലെങ്കിൽ 10×5 mm എന്നിവയിൽ നൽകാം.ലോകമെമ്പാടുമുള്ള ഞങ്ങളുടെ ഉപഭോക്താക്കൾക്ക് അനുയോജ്യമായ പരിഹാരത്തിനുള്ളതാണ് ഏത് ഇഷ്‌ടാനുസൃത വലുപ്പവും സ്പെസിഫിക്കേഷനും.

ഇപ്പോൾ അന്വേഷണം

വിശദാംശങ്ങൾ

ടാഗുകൾ

സാങ്കേതിക സ്പെസിഫിക്കേഷൻ

ഗാലിയം നൈട്രൈഡ് GaN

ഗാലിയം നൈട്രൈഡ് GaNവെസ്റ്റേൺ മിൻമെറ്റൽസ് (SC) കോർപ്പറേഷനിൽ വൃത്താകൃതിയിലുള്ള 2 ഇഞ്ച് ”അല്ലെങ്കിൽ 4” (50mm, 100mm) വലിപ്പത്തിലും ചതുരാകൃതിയിലുള്ള വേഫർ 10×10 അല്ലെങ്കിൽ 10×5 mm എന്നിവയിലും നൽകാം.ലോകമെമ്പാടുമുള്ള ഞങ്ങളുടെ ഉപഭോക്താക്കൾക്ക് അനുയോജ്യമായ പരിഹാരത്തിനുള്ളതാണ് ഏത് ഇഷ്‌ടാനുസൃത വലുപ്പവും സ്പെസിഫിക്കേഷനും.

ഇല്ല.	ഇനങ്ങൾ	സ്റ്റാൻഡേർഡ് സ്പെസിഫിക്കേഷൻ
1	ആകൃതി	വൃത്താകൃതി	വൃത്താകൃതി	സമചതുരം Samachathuram
2	വലിപ്പം	2"	4"	--
3	വ്യാസം എം.എം	50.8 ± 0.5	100± 0.5	--
4	സൈഡ് നീളം mm	--	--	10x10 അല്ലെങ്കിൽ 10x5
5	വളർച്ചാ രീതി	HVPE	HVPE	HVPE
6	ഓറിയന്റേഷൻ	സി-പ്ലെയ്ൻ (0001)	സി-പ്ലെയ്ൻ (0001)	സി-പ്ലെയ്ൻ (0001)
7	ചാലകത തരം	N-type/Si-doped, Un-doped, semi-insulating
8	പ്രതിരോധശേഷി Ω-സെ.മീ	<0.1, <0.05, >1E6
9	കനം μm	350±25	350±25	350±25
10	TTV μm പരമാവധി	15	15	15
11	ബോ μm പരമാവധി	20	20	20
12	EPD cm-2	<5E8	<5E8	<5E8
13	ഉപരിതല ഫിനിഷ്	പി/ഇ, പി/പി	പി/ഇ, പി/പി	പി/ഇ, പി/പി
14	ഉപരിതല പരുക്കൻ	മുൻഭാഗം: ≤0.2nm, പിൻഭാഗം: 0.5-1.5μm അല്ലെങ്കിൽ ≤0.2nm
15	പാക്കിംഗ്	അലുമിനിയം ബാഗിൽ അടച്ച ഒറ്റ വേഫർ കണ്ടെയ്നർ.

ലീനിയർ ഫോർമുല	GaN
തന്മാത്രാ ഭാരം	83.73
ക്രിസ്റ്റൽ ഘടന	സിങ്ക് മിശ്രിതം / വുർട്ട്സൈറ്റ്
രൂപഭാവം	അർദ്ധസുതാര്യ ഖര
ദ്രവണാങ്കം	2500 °C
തിളനില	N/A
സാന്ദ്രത 300K	6.15 ഗ്രാം/സെ.മീ³
ഊർജ്ജ വിടവ്	(3.2-3.29) 300K-ൽ ഇ.വി
ആന്തരിക പ്രതിരോധശേഷി	>1E8 Ω-സെ.മീ
CAS നമ്പർ	25617-97-4
ഇസി നമ്പർ	247-129-0

ഗാലിയം നൈട്രൈഡ് GaNഅത്യാധുനിക ഹൈ സ്പീഡ്, ഹൈ കപ്പാസിറ്റി ബ്രൈറ്റ് ലൈറ്റ് എമിറ്റിംഗ് ഡയോഡുകൾ LED കളുടെ ഘടകങ്ങൾ, ലേസർ, ഒപ്റ്റോ ഇലക്‌ട്രോണിക്സ് ഉപകരണങ്ങൾ, പച്ച, നീല ലേസറുകൾ, ഹൈ ഇലക്ട്രോൺ മൊബിലിറ്റി ട്രാൻസിസ്റ്ററുകൾ (HEMT) ഉൽപന്നങ്ങൾ, ഉയർന്ന പവർ, ഹൈ-പവർ എന്നിവയുടെ ഉത്പാദനത്തിന് അനുയോജ്യമാണ്. താപനില ഉപകരണങ്ങളുടെ നിർമ്മാണ വ്യവസായം.