ഇൻഡിയം ഫോസ്ഫൈഡ് ഇൻപി

വിവരണം

ഇൻഡിയം ഫോസ്ഫൈഡ് ഇൻപി,CAS No.22398-80-7, ദ്രവണാങ്കം 1600°C, III-V കുടുംബത്തിലെ ഒരു ബൈനറി സംയുക്ത അർദ്ധചാലകം, ഒരു മുഖം-കേന്ദ്രീകൃതമായ ക്യൂബിക് "സിങ്ക് ബ്ലെൻഡ്" ക്രിസ്റ്റൽ ഘടന, മിക്ക III-V അർദ്ധചാലകങ്ങൾക്കും സമാനമാണ്. 6N 7N ഉയർന്ന പ്യൂരിറ്റി ഇൻഡിയവും ഫോസ്ഫറസ് മൂലകവും, LEC അല്ലെങ്കിൽ VGF ടെക്നിക് ഉപയോഗിച്ച് സിംഗിൾ ക്രിസ്റ്റലായി വളർന്നു.ഇൻഡിയം ഫോസ്ഫൈഡ് ക്രിസ്റ്റൽ 6″ (150 എംഎം) വ്യാസം വരെയുള്ള കൂടുതൽ വേഫർ ഫാബ്രിക്കേഷനായി എൻ-ടൈപ്പ്, പി-ടൈപ്പ് അല്ലെങ്കിൽ അർദ്ധ-ഇൻസുലേറ്റിംഗ് ചാലകതയായി ഡോപ്പ് ചെയ്യുന്നു, ഇത് അതിന്റെ നേരിട്ടുള്ള ബാൻഡ് വിടവ്, ഇലക്ട്രോണുകളുടെയും ദ്വാരങ്ങളുടെയും ഉയർന്ന ചലനാത്മകത, കാര്യക്ഷമമായ താപം എന്നിവ ഉൾക്കൊള്ളുന്നു. ചാലകത.വെസ്റ്റേൺ മിൻമെറ്റൽസ് (എസ്‌സി) കോർപ്പറേഷനിൽ ഇൻഡിയം ഫോസ്ഫൈഡ് ഇൻ‌പി വേഫർ പ്രൈം അല്ലെങ്കിൽ ടെസ്റ്റ് ഗ്രേഡ് 2” 3” 4”, 6” (150 എംഎം വരെ) വ്യാസമുള്ള പി-ടൈപ്പ്, എൻ-ടൈപ്പ്, സെമി-ഇൻസുലേറ്റിംഗ് ചാലകത എന്നിവയ്‌ക്കൊപ്പം നൽകാം. ഓറിയന്റേഷനും <111> അല്ലെങ്കിൽ <100> ഉം 350-625um കനവും കൊത്തി മിനുക്കിയതോ എപ്പി-റെഡി പ്രോസസിന്റെയോ ഉപരിതല ഫിനിഷോടുകൂടിയാണ്.അതേസമയം ഇൻഡിയം ഫോസ്ഫൈഡ് സിംഗിൾ ക്രിസ്റ്റൽ ഇൻഗോട്ട് 2-6″ അഭ്യർത്ഥന പ്രകാരം ലഭ്യമാണ്.D(60-75) x നീളം (180-400) mm 2.5-6.0kg വലിപ്പമുള്ള പോളിക്രിസ്റ്റലിൻ ഇൻഡിയം ഫോസ്ഫൈഡ് InP അല്ലെങ്കിൽ മൾട്ടി-ക്രിസ്റ്റൽ InP ഇൻഗോട്ടും 6E15 അല്ലെങ്കിൽ 6E15-3E16-ൽ താഴെയുള്ള കാരിയർ കോൺസൺട്രേഷനും ലഭ്യമാണ്.മികച്ച പരിഹാരം നേടുന്നതിന് അഭ്യർത്ഥന പ്രകാരം ഏത് ഇഷ്‌ടാനുസൃതമാക്കിയ സ്പെസിഫിക്കേഷനും ലഭ്യമാണ്.

അപേക്ഷകൾ

എപ്പിറ്റാക്സിയൽ ഇൻഡിയം-ഗാലിയം-ആർസെനൈഡ് (InGaAs) അടിസ്ഥാനമാക്കിയുള്ള ഒപ്‌റ്റോ-ഇലക്‌ട്രോണിക് ഉപകരണങ്ങളുടെ അടിവസ്‌ത്രമായി, ഒപ്‌റ്റോഇലക്‌ട്രോണിക് ഘടകങ്ങൾ, ഹൈ-പവർ, ഹൈ-ഫ്രീക്വൻസി ഇലക്‌ട്രോണിക് ഉപകരണങ്ങൾ എന്നിവയുടെ നിർമ്മാണത്തിന് ഇൻഡിയം ഫോസ്ഫൈഡ് ഇൻപി വേഫർ വ്യാപകമായി ഉപയോഗിക്കുന്നു.ഒപ്റ്റിക്കൽ ഫൈബർ കമ്മ്യൂണിക്കേഷൻസ്, മൈക്രോവേവ് പവർ സോഴ്‌സ് ഉപകരണങ്ങൾ, മൈക്രോവേവ് ആംപ്ലിഫയറുകൾ, ഗേറ്റ് എഫ്ഇടി ഉപകരണങ്ങൾ, ഹൈ-സ്പീഡ് മോഡുലേറ്ററുകൾ, ഫോട്ടോ-ഡിറ്റക്‌ടറുകൾ, സാറ്റലൈറ്റ് നാവിഗേഷൻ തുടങ്ങിയവയിൽ വളരെ പ്രതീക്ഷ നൽകുന്ന പ്രകാശ സ്രോതസ്സുകൾക്കായുള്ള നിർമ്മാണത്തിലാണ് ഇൻഡിയം ഫോസ്ഫൈഡ്.